光电二极管主要参数
1.较高反向工作电压；
2.暗电流；
dark current 也称无照电流光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。 此外在生理学方面，是指在无光照时视网膜视杆细胞的外段膜上有相当数量的Na离子通道处于开放状态，故Na离子进入细胞内，形成一个从外段流向内段的电流，称为暗电流（dark current）。 暗电流是指器件在反偏压条件下,没有入射光时产生的反向直流电流.(它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流.) 所谓暗电流指的是光伏电池在无光照时，由外电压作用下P-N结内流过的单向电流。 光电倍增管在无辐射作用下的阳极输出电流称为暗电流
3.光电流；
4.灵敏度；
5.结电容；
6.正向压降；
7.响应度
响应度是光生电流与产生该事件光功率的比。工作于光导模式时的典型表达为A/W。响应度也常用量子效率表示，即光生载流子与引起事件光子的比。
8.噪声等效功率
噪声等效功率（NEP）等效于1赫兹带宽内均方根噪声电流所需的*小输入辐射功率，是光电二极管*小可探测的输入功率。
9.频率响应特性
光电二极管的频率特性响应主要由3个因素决定：
a.光生载流子在耗尽层附近的扩散时间；
b.光生载流子在耗尽层内的漂移时间；
c.负载电阻与并联电容所决定的电路时间常数。
光电二极管与光电倍增管相比，具有电流线性良好、成本低、体积小、重量轻、寿命长、量子效率高（典型值为80%）及无需高电压等优点，且频率好，适宜于快速变化的光信号探测。不足是面积小、无内部增益（雪崩光电管的增益可达100~1000，光电倍增管的增益则可达100000000）、灵敏度较低（只有特别设计后才能进行光子计数）以及相应时间慢，且工艺要求很高。
光电二极管和一般的半导体二极管相似，可以暴露（探测真空紫外）或用窗口封装或由光纤连接来感光。
